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Cree大举进军半导体背面|半导体职业调查

作者:admin 发布时间:2019-05-11 19:51:35 浏览次数:183
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来历:内容由 大众号 半导体职业调查 (ID:icbank)原创,谢谢!

得益于在资料和技能上的深沉堆集,Cree可以制造出可在很小的空间里用更大的功率,一起还具有正向电压低、超薄厚度、发热性低、针对静电放电(ESD)的高容限/耐受、运用寿命长久等典型特征的LED灯珠,公司也在这个范畴一骑绝尘。

但在本年三月,他们宣告,将向美国抱负工业公司(IDEAL INDUSTRIES)出售其照明产品事务部门("Cree Lighting"),包含用于商业、工业和顾客运用的LED照明灯具、灯泡以及企业照明解决方案事务。公司在未来将定位为一个更专心的半导体领导者。

而其真实这种改变背面隐藏着两条重要主线:我国LED芯片工业的兴起与GaN和SiC等器材需求的飙升。

LED芯片向我国搬运

曾几何时,在led芯片范畴,咱们必定绕不过美国Cree,欧洲飞利浦、欧司朗,日本日亚化学与丰田组成等公司。由于这Cree大举进军半导体背面|半导体职业调查些IDM企业凭仗其事务形式的优势,在LED范畴建立了抢先的优势,公司推出的产品也备受好评。

但和其他芯片的开展相同,在阅历了欧美独占、韩国台湾推进大规划商用,然后在阅历国内方针扶持,海内Cree大举进军半导体背面|半导体职业调查外人才敏捷参加今后,以三安广电和华灿光电为代表的一大波国内led芯片厂商敏捷兴起,也逐步把led芯片变成了一个几由我国厂商操纵的红海商场。

计算显现,2013年以来,我国LED芯片职业产量规划占全球规划的比例不断提高,商场比例也由2013年的27.0%上升至2017年的37.1%。在2017年,我国LED芯片产能占全球的比例到达58%。而排在这以后的我国台湾2017年LED芯片产能占比15%;这以后是日本、韩国、美国,这三个国家的LED芯片产能占比分别为12%、9%、3%。在国内,本乡厂商的比例更是水涨船高。

据LEDinsde数据,2016年在国内商场,三安光电、华灿光电等前五大厂商算计市占比为65%。

2017年国内led芯片商场比例

到2017年末,国内前四大芯片厂商占有了超越70%的商场比例。居前四位的电话号码分别是三安光电(产能为280万片/每月)、华灿光电(产能170万片/每月)、澳洋顺昌(产能100万片/每月)和乾照光电(产能55万片每月),占比分别为32.6%、19.8%、11.6%和6.4%。整体来看,我国LED芯片职业集中度较高。

跟着技能的前进,国内的led芯片质量也大幅Cree大举进军半导体背面|半导体职业调查提高,出货量也日渐增加,led芯片的各个环节价格也开端大跌。资料显现,白光 LED 封装的本钱将从 2009 年的 25 美元/klm 降至 2020年的 0.7 美元/klm,其本钱的终极方针更是途径为 0.5 美元/klm,均匀每年的本钱下降在 30%以上。再加上国内厂商竞赛,对Cree来说,led芯片商场不再有吸引人。为此他们作出了文章最初的决议。

GaN和SiC器材需求的飙升

Cree抛弃照明事务,另一个原因就在于看到GaN和SiC器材需求的飙升。

对led芯片工业有所了解的朋友应该知道,GaN和SiC这些化合物半导体从前被推行到led芯片当作衬底,而Cree作为傍边的领头羊,在这些范畴都有很深化的研讨和堆集。尽管led商场吸引力不再,但这些技能在功率电子和射频范畴看到了很大的生长空间。

硅、碳化硅和氮化镓的资料特点

资料显现,碳化硅和氮化镓这两种资料的功能都优于单质硅。他们的高临界场答应这些器材能在更高的电压和更低的漏电流中操作。高电子迁移率和电子饱满速度答应更高的作业频率,高导热系数意味着资料在更有效地传导热量方面占优势,这些特性就让他们可以在射频和功率器材范畴取得广泛的重视。

功率GaN器材未来的商场规划猜测

依据闻名剖析组织Yole的数据显现,2016年,全球氮化镓(GaN)半导体器材商场规划为165亿美元,估计到2023年将到达224.7亿美元,2017年至2023年期间的复合年增加率为4.6%。Yole指出,驱动该商场增加的首要要素包含氮化镓在消费电子和轿车范畴具有宽广的商场潜力;氮化镓资料的宽带隙特性促进了立异运用;氮化镓在RF功率Cree大举进军半导体背面|半导体职业调查电子范畴的成功运用;以及军事、国防、航空航天运用范畴增加对氮化镓RF半导体器材的选用。

SiC器材的商场规划猜测

相同也是Yole的猜测,到2023年SiC功率半导体商场规划估计将达14亿美元,而2016年至2023年间的复组生长率(CAGR)为28%,2020~2022年CAGR将进一步提高至40%。

依照他们的说法包含xEV、xEV充电根底设施、PFC /电源、PV、UPS、电机驱动、风和铁路,都是SiC的运用范畴。别的,SiC还遭到PFC和PV运用中运用的二极管的驱动。Yole着重,从现在开端的五年内,首要的SiC元件商场驱动要素将是晶体管。当然,他们也着重,现在正在蓬勃开展的新能源轿车也将会是SiC器材瞄准的另一个方向。

巨大的商场吸引力就让Cree做下了文章最初的那个决议。

Cree进军半导体的步步为”赢“

1987年建立的Cree在上述两种化合物半导体商场体现出色。英飞凌在2016年7月15日宣告,将以8.5亿美元的现金收买Cree科锐旗下的Wolfspeed公司,便是看中了他们在这这方面的技能(由于美国CFIUS的对立,英飞凌对Wolfspeed的买卖终究流产)。尤其是在SiC方面,Cree的体现尤为优胜。

资料显现,建立之初的Cree就确认了朝SiC资料开展的路途,公司也在1989年发布了世界Cree大举进军半导体背面|半导体职业调查上第一款蓝色led,而这颗芯片便是在SiC上出产的。自led之后,他们就将SiC技能拓宽到其他范畴,并把其开展成为公司事务的另一大支撑,这便是上文说到的Wolfspped。太平洋证券指出,Cree在1991年就推出了全球首款商用SiC晶圆,1998年创立业界首款选用SiC的GaN HEMT,进入21世纪后,公司在SiC射频器材与电力电子器材范畴持续拓宽,于2002年推出首款600V商用SiC JBS肖特基Cree大举进军半导体背面|半导体职业调查二极管,2011年推出业界首款SiC MOSFET。公司最近还和st签订了长时间的SiC晶圆供给协议,夯实了公司未来的开展根底。

Cree在SiC功率器材的开展前史

来到GaN方面,Cree在2004年收买了AdvancedTechnology Materials(ATMI),取得了GaN和外延事务,公司也直接取得GaN衬底和外延的产能;2018年3月,Cree反过来收买了英飞凌的射频功率事务,依照Cree 首席执行官 Gregg Lowe 的说法,这次收买安定了 Wolfspeed 在射频碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)技能方面的领导地位,一起使科锐进入更多商场,扩展客户并取得在封装范畴的专业技能。这是科锐开展战略的重要行动,使Wolfspeed 可以助力4G网络提速,以及向革命性的5G转型。

通过多年的开展,现在的Cree具有了SiC 功率器材及 GaN RF 射频器材出产能力,其间SiC功率器材商场,Wolfspeed具有全球最大的比例,公司也引领了SiC晶圆尺度的改变浪潮;而在GaN射频商场,Wolfspeed也仅仅是屈居第二。公司的GaN HEMT出货量也超越了1500万只,公司也拓宽出了GaN-on-SiC 代工服务。

这些事务也给Cree带来了优胜的成绩。依据公司最新的财报显现,Wolfspeed最新财季的经营收入同比增加了72%,其毛利也超越了公司的方针。这部分事务在公司中所占的营收比例也越来越大。

对Cree来说,这一切都是瓜熟蒂落的。于国内的厂商来说,Cree这些聚集高毛利新产品,顺水推舟的做法也值得咱们本乡企业学习。

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